Leistungshalbleiter

Platzbedarf und Verluste reduzieren

Ehrgeizige Pläne für die GaN-Produktfamilie

Unter der Bezeichnung STPower bietet STMicroelectronics ein breites Spektrum an Leistungselektronik-Komponenten an. Dieser Beitrag geht auf die neuen Wide-Bandgap-Technologien ein und gibt einen Überblick über das Produktspektrum und seine Eigenschaften im Hinblick auf industrielle Anwendungen.

Rohm plant hohe Investitionen

Umweltschonende Power-Komponenten im Fokus

Bei Leistungsbauelementen ist Siliziumkarbid das Halbleitermaterial der Wahl. Rohm ist...

Wide Bandgap für die 5G-Infrastruktur

650-V-CoolSiC in modernen Telekommunikations-SMPS

Im Zuge des Aufbaus der 5G-Infrastruktur profitieren...

Schnelles Tanken an der Stromtankstelle

Schnelles Laden von Elektrofahrzeugen durch CoolSiC

Für effiziente und leistungsfähige Ladesäulen ist SiC die entscheidende...

ZVEI fordert sechs neue Halbleiter-Fabs

Markt für Leistungshalbleiter verdreifacht sich bis 2030

Bei Leistungshalbleitern ist Europa mit einem Anteil von 30 Prozent heute...

Siliziumkarbid-MOSFETs

Die neue Generation kann mehr

Über die letzten gut zehn Jahre hat Rohm mehrere Generationen an Siliziumkarbid-MOSFETs...

Neuer Fünfjahresplan

China fördert lokale Wertschöpfungskette bei Siliziumkarbid

Bis 2025 wird das chinesische Ministerium für Industrie und Informationstechnik (MIIT)...

Massive Kapazitätserweiterung

Infineon eröffnet 300-mm-Fab in Villach

Nach drei Jahren Planung und Bau hat Infineon nun ihre neue, 1,6 Milliarden Euro teure...

Applied Materials / Siliziumkarbid

Umstieg auf 200-mm-SiC-Wafer beschleunigen

Derzeit migrieren die meisten Hersteller von SiC-Leistungshalbleiter von 150-mm- auf...

Leistungshalbleiter + Stromversorgungen

Keine Chance den Fake-Produkten!

Im Rahmen des diesjährigen, virtuellen Stromversorgungsforums der Markt&Technik (s....